IRFH5210TRPBF

1. Lavere ledningstab
2. Muliggør bedre termisk afledning
3. Øget pålidelighed
4. Øget effekttæthed
5.Multi-Vendor Kompatibilitet
6. Nemmere fremstilling
7.Miljøvenligere
8. Øget pålidelighed

Producentens reservedelsnummer:IRFH9310TRPBF
Producent / BrandInternational Rectifier (Infineon Technologies)
Del af beskrivelse: MOSFET P-CH 30V 21A PQFN
Blyfri status / RoHS-status: Blyfri / RoHS-kompatibel
Lagertilstand: Ny original, 12000 stk. lager på lager.
Skib fra: Hong Kong
Forsendelsesmåde: DHL/Fedex/TNT/UPS
Product Attribut Attribut Værdi Vælg Attribut
Varenummer IRFH9310TRPBF
Producent / Brand International Rectifier (Infineon Technologies)
Lager Antal 12000 stk Lager
Kategori Diskrete halvlederprodukter > Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Enkelte
Beskrivelse MOSFET P-CH 30V 21A PQFN
Blyfri status / RoHS-status: Blyfri / RoHS-kompatibel
Bredde - indvendig -55°C ~ 150°C (TJ)
Spænding/strøm - udgang 1 PQFN (5x6)
Tolerance 5250pF @ 15V
Hale Type P-kanal
Trinvinkel MOSFET (metaloxid)
Krympetemperatur Infineon-teknologier
SFP/XFP Type ±20V
Fjernbetjening HEXFET®
Pitch - Kabeloverflademontering
Andre navne Blyfri / RoHS-kompatibel
Andre navne 1
Oscillator Type 8-PowerVDFN
Antal DAC'er 30V
Minimum væskefylde -
Parringsorientering 4,6 mOhm @ 21A, 10V
Producentens reservedelsnummer IRFH9310TRPBFDKR-ND
Længde - Barrel Digi-Reel®
Lampefarve 4,5V, 10V
Høj sidespænding - Max (Bootstrap) 21A (Ta), 40A (Tc)
Funktion 58nC @ 4,5V
Spolekraft aktiv
Kanalkapacitans (CS(fra), CD(fra)) 3,1W (Ta)
Kortlæser Type 2,4V @ 100µA
funktioner og fordele
Funktioner resulterende fordele
Lav RDSon (≤ 4,6mΩ) Lavere ledningstab
Industristandard PQFN-pakke Multi-Vendor-kompatibilitet
RoHS-kompatibel Indeholder intet bly, ingen bromid og ingen halogen Miljøvenligere
resulterer i
Bemærk
Form mængde
IRFH9310TRPBF PQFN 5 mm x 6 mm tape og rulle 4000
Bestilbart varenummer Pakketype Standard Pakke
VDS -30 V
RDS(on) max
(@VGS = 10V) 4,6 mΩ
Qg (typisk) 110 nC
RG (typisk) 2,8 Ω
ID
(@TA = 25°C) -21 A
Absolut maksimale vurderinger
Parameterenheder
VDS dræn-til-kilde spænding
VGS gate-til-kilde spænding
ID @ TA = 25°C Kontinuerlig drænstrøm, VGS @ -10V
ID @ TA = 70°C Kontinuerlig drænstrøm, VGS @ -10V
ID @ TC = 25°C Kontinuerlig drænstrøm, VGS @ -10V (Silicon Limited)
ID @ TC = 70°C Kontinuerlig drænstrøm, VGS @ -10V (Silicon Limited)
ID @ TC = 25°C Kontinuerlig drænstrøm, VGS @ -10V (pakkebegrænset)
IDM pulseret drænstrøm
PD @TA = 25°C Effekttab
PD @ TA = 70°C Effekttab
Lineær deratingfaktor W/°C
TJ Operating Junction og
TSTG opbevaringstemperaturområde
Gentagen vurdering;pulsbredde begrænset af max.overgangstemperatur.
Startende TJ = 25°C, L = 1,1mH, RG = 50Ω, IAS = -17A.
Pulsbredde ≤ 400µs;driftscyklus ≤ 2 %.
Når den er monteret på 1 tomme kvadratisk kobberplade.
Rθ måles ved TJ på ca. 90°C.
KUN til DESIGNHJÆLP, ikke underlagt produktionstestning.